🔬"ASML"의 노광 독주: 매출 21% 증가, EUV 확률적 결함, 중국 규제와 도입 시차

독자님들 안녕하세요? 🍎Macultist입니다! 오늘은 반도체 노광장비(빛으로 웨이퍼 위에 회로 패턴을 새기는 장비)를 만드는 네덜란드 기업 ASML(에이에스엠엘)을 살펴보겠습니다. 2026년 9월 8일 ASML은 TSMC와 함께 EUV 확률적 결함 문제를 풀어갈 대형 포토마스크 전환 계획을 발표했고, 선단 반도체를 만드는 기업들의 하이NA 도입이 개별 기업의 선택이 아니라 업계 공통의 일정으로 굳어졌습니다. 오늘은 이 회사가 최근 내놓은 실적 숫자를 먼저 확인한 뒤, EUV 노광에서 확률적 결함이 왜 생기는지, 그리고 투자자가 함께 짚어야 할 리스크까지 차례로 살펴보겠습니다.

ASML 2026년 2분기 실적: 매출 21% 증가

네덜란드 반도체 장비회사 ASML(에이에스엠엘)이 2026년 2분기(4월부터 6월까지) 실적을 발표했습니다. 총매출은 93억 2,600만 유로로 작년 같은 기간의 76억 9,200만 유로보다 21.2퍼센트 늘었습니다. 매출총이익률(원가를 뺀 뒤 남는 비율)은 54.0퍼센트로 작년 같은 기간의 53.7퍼센트보다 0.3퍼센트포인트 올랐습니다. 순이익은 29억 1,800만 유로로 작년 같은 기간보다 27.4퍼센트 늘었고, 기본 주당순이익(주식 한 주가 벌어들인 순이익)은 7.59유로로 작년보다 28.6퍼센트 증가했습니다. 이 수치는 모두 미국 회계기준(기업 회계를 통일된 방식으로 정리하도록 미국에서 정한 표준 규정)으로 작성된 것이며, ASML은 이 기준 외에 따로 조정한 수치를 내놓지 않습니다. 그래서 이 글에서도 "영업이익률"이라는 표현 대신 원문 그대로 "매출총이익률"이라는 표현만 씁니다.

이번 분기 매출에서 눈에 띄는 대목은 설치기반관리 매출(이미 팔린 장비의 유지보수·업그레이드·부품 판매에서 나오는 매출)입니다. 이 항목이 27억 6,200만 유로로 집계돼 시장의 예상을 웃돌았습니다. 노광장비(빛으로 반도체 위에 회로 패턴을 새기는 장비) 자체의 신규 판매 대수는 86대, 중고 판매는 5대였습니다. 다만 이 대수의 작년 동기 비교 수치는 1차 출처에서 확인되지 않아 이 글에서는 증감률로 쓰지 않습니다.

더 눈여겨봐야 할 부분은 가이던스(회사가 스스로 제시하는 향후 실적 전망)입니다. ASML은 2026 회계연도 총매출 전망을 "430억~450억 유로"로 제시했는데, 이는 지난 1분기(2026년 4월 15일 발표) 때 내놓았던 "360억~400억 유로" 전망보다 한 단계 더 올라간 숫자입니다. 매출총이익률 전망도 "54퍼센트~56퍼센트"로, 직전의 "51퍼센트~53퍼센트"에서 상향됐습니다. 2026년 들어 두 번째 상향 조정입니다. 3분기(2026년 7월부터 9월까지)만 따로 떼어 보면 매출 110억~120억 유로, 매출총이익률 55퍼센트~57퍼센트, 연구개발비 약 12억 유로, 판매관리비 약 4억 유로를 예상한다고 밝혔습니다.

가이던스를 두 번 연속 올렸다는 것은 회사가 스스로 내다보는 앞날의 수요가 분기를 거듭할수록 더 확실해지고 있다는 뜻으로 읽을 수 있습니다. 특히 2026년 9월 8일 ASML이 TSMC(대만 반도체 위탁생산회사)와 공동으로 발표한 대형 포토마스크(노광에 쓰이는 회로 원판) 전환 계획은, 선단 반도체 공정을 다루는 고객사들이 ASML의 차세대 장비 로드맵에 이미 발을 맞추고 있다는 신호이기도 합니다. 이 기술적 배경은 다음 소제목에서 자세히 다루겠습니다.

EUV 노광에서 확률적 결함이 생기는 이유

ASML이 만드는 노광장비의 핵심은 EUV(극자외선, 눈에 보이는 빛보다 파장이 훨씬 짧은 빛)입니다. EUV의 파장은 13.5나노미터(1나노미터는 10억분의 1미터)입니다. 그런데 이 짧은 파장 자체보다 더 중요한 문제가 하나 있습니다. 바로 확률적 결함(스토캐스틱 결함, 같은 조건에서 찍어도 매번 조금씩 다르게 나타나는 무작위적인 불량)입니다. 이 개념을 이해하려면 먼저 빛이 무엇으로 이루어져 있는지부터 짚어야 합니다.

빛은 매끈하게 이어지는 물결이 아니라, 광자(빛을 이루는 가장 작은 알갱이)라는 낱개의 단위로 도착합니다. 노광 공정에서 웨이퍼(반도체를 만드는 둥근 판) 위에 바른 감광막(빛을 받으면 화학적으로 변하는 얇은 막)이 제대로 반응하려면, 한 지점에 정해진 개수 이상의 광자가 맞아야 합니다. 여기서 파장이 짧을수록 광자 한 개가 지닌 에너지는 커집니다. 같은 총에너지를 감광막에 쏘아 준다고 할 때, 에너지가 큰 광자를 쓰면 그만큼 광자의 개수는 줄어듭니다. 실제로 계산해 보면, 13.5나노미터 EUV 광자 한 개의 에너지는 기존에 쓰던 193나노미터 빛(불화아르곤 레이저)의 광자 한 개보다 약 14배 큽니다. 즉 같은 에너지를 주더라도 EUV는 광자의 개수가 약 14분의 1로 줄어드는 셈입니다.

여기서 비유를 하나 들어보겠습니다. 잔디밭에 물뿌리개로 물을 준다고 생각해 봅시다. 아주 가는 물방울을 촘촘하게 많이 뿌리면 잔디 전체가 고르게 젖습니다. 그런데 물의 총량은 그대로 두고 물방울 하나하나를 굵게 만들면, 물방울 개수 자체가 줄어들기 때문에 어떤 자리는 흠뻑 젖고 어떤 자리는 상대적으로 덜 젖은 채 남습니다. EUV도 마찬가지입니다. 광자 한 알의 에너지는 커졌지만 알갱이 개수가 줄어든 빛이기 때문에, 감광막 위에 그려지는 선의 가장자리가 자리마다 들쭉날쭉해집니다.

광자 개수가 적으면 같은 노광량(빛을 쬐어 주는 총량)을 주더라도, 실제로 어느 한 지점에 몇 개의 광자가 도달하는지는 확률적으로 흔들립니다. 이를 산탄잡음(알갱이 개수가 적을 때 생기는 통계적 편차)이라고 부릅니다. 이 편차가 그대로 감광막이 녹는 경계선에 옮겨붙습니다. 벨기에의 반도체 연구기관 imec은 이 현상이 실제 공정에서 어떤 모습으로 나타나는지를 정리했습니다. 있어야 할 두 개의 선이 미세한 다리 모양으로 서로 붙어버리거나(미세다리), 이어져 있어야 할 선의 일부가 국소적으로 끊기거나, 뚫려 있어야 할 접점(회로를 연결하는 작은 구멍) 하나가 통째로 사라지는 식입니다. 매번 같은 자리에서 똑같이 나타나는 것이 아니라 무작위로 나타나기 때문에 확률적 결함이라고 부릅니다.

ASML은 이 문제를 더 정밀한 장비인 하이NA(개구수를 기존 0.33에서 0.55로 키운 차세대 극자외선 노광장비)로 풀어가려 하고 있습니다. 개구수(렌즈가 빛을 얼마나 넓은 각도로 모을 수 있는지를 나타내는 값)를 키우면 한 번에 그릴 수 있는 최소 선폭(임계치수)이 기존 약 13나노미터에서 8나노미터로 줄어들고, 트랜지스터 집적밀도는 기존보다 2.9배 높아집니다. 그런데 개구수를 키우면 초점심도(렌즈의 초점이 맞는 세로 방향의 폭)가 개구수의 제곱에 반비례해서 얕아집니다. 하이NA에서는 초점심도가 기존보다 2~3배 얕아지기 때문에, 감광막을 20나노미터보다 더 얇게 발라야 합니다. 그런데 감광막이 얇아지면 그 안에 붙잡아 둘 수 있는 광자의 수는 더 줄어듭니다. 결국 확률적 결함을 줄이는 가장 단순한 방법인 "노광량을 늘려 광자를 더 많이 쏘아주는 것"과, 하이NA가 요구하는 "얇은 감광막"이 서로 반대 방향으로 잡아당기는 셈입니다. 게다가 노광량을 늘리면 웨이퍼 한 장을 처리하는 데 걸리는 시간이 길어져서, 시간당 처리할 수 있는 웨이퍼 수(생산성)가 떨어집니다. 즉 결함률을 낮추는 일과 생산성을 유지하는 일이 정면으로 맞바꿈 관계에 놓여 있는 것입니다.

이런 확률적 결함 문제는 장비 하나만 잘 만든다고 풀리지 않습니다. 감광막, 노광 원판(마스크), 결함을 재는 계측 장비가 함께 맞물려야 합니다. 선단 로직 반도체를 양산하는 노광장비를 공급하는 회사는 현재 ASML 한 곳뿐이고, ASML은 imec과 공동으로 하이NA 연구소를 운영하며 이 생태계의 한가운데에 서 있습니다. 2026년 9월 8일 ASML과 TSMC가 함께 발표한 대형 포토마스크 전환 계획도, 바로 이 확률적 결함과 초점심도 문제를 감광막·마스크·계측까지 포함해 업계 전체가 함께 풀어가겠다는 로드맵입니다. 그리고 이런 기술적 벽이 있기 때문에, 앞서 살펴본 실적에서 장비 판매가 아니라 설치기반관리 매출이 예상을 웃돌며 매출과 매출총이익률을 함께 끌어올린 것입니다. 고객이 장비를 사고 나서도 계속 ASML의 도움을 받아야 하는 구조이기 때문입니다.

중국 규제와 하이NA 도입 시차

ASML의 실적과 기술력이 뚜렷하다고 해서 리스크가 없는 것은 아닙니다. 크게 세 가지를 짚어보겠습니다.

첫 번째는 하이NA의 성과가 도착하는 시점이 생각보다 멀다는 점입니다. ASML과 TSMC는 2026년 9월 8일 공동 발표에서, 지금 쓰이는 6인치 크기의 마스크(노광 원판)로 하이NA를 우선 시작하고, 더 큰 12인치 대형 마스크의 시험 생산 라인은 2031년에, 양산에 실제로 쓸 수 있는 시스템은 2033년에야 준비될 것이라고 밝혔습니다. TSMC가 하이NA 장비를 대량생산에 투입하겠다고 목표한 시점은 2030년입니다. 그때까지는 노광 가능한 면적이 기존 장비의 절반이기 때문에, 큰 칩 하나를 찍으려면 두 번 나눠 찍은 뒤 이어 붙이는 스티칭(이어붙이기) 방식의 부담을 계속 안고 가야 합니다. 즉 하이NA가 앞으로의 성장 동력인 것은 맞지만, 그 성장이 실제 매출로 확인되기까지는 여러 해가 더 필요합니다.

두 번째는 중국 대상 매출 비중 축소와 수출 규제 변수입니다. ASML의 중국 대상 장비 출하 비중은 계속 줄어드는 흐름을 보이고 있습니다. 2026년 4월에는 미국 쪽에서 중국을 대상으로 한 반도체 장비 수출을 추가로 제한하려는 입법 논의가 나오면서 ASML의 주가가 흔들리기도 했습니다. 다만 정확한 중국 매출 비중의 퍼센트 수치는 1차 출처로 확인되지 않았기 때문에 이 글에서는 구체적인 숫자를 쓰지 않습니다. 분명한 것은 ASML의 지역별 매출 구성이 개별 기업의 영업 활동만이 아니라, 국가 간 정치 일정에 따라서도 흔들릴 수 있는 구조라는 점입니다.

세 번째는 기술 자체의 채택 속도입니다. 앞서 살펴본 것처럼 하이NA는 초점심도가 2~3배 얕아지기 때문에 감광막을 20나노미터보다 얇게 써야 하고, 그럴수록 확률적 결함 문제는 더 까다로워집니다. imec의 정리에 따르면 이 문제가 완전히 풀리지 않은 상태에서는, 장비를 사들인 고객사라 하더라도 수율(만든 칩 가운데 정상적으로 작동하는 칩의 비율)이 곧바로 올라가지 않을 수 있습니다. 수율이 서지 않으면 장비를 도입한 효과가 매출로 잡히는 시점과 고객사의 재구매 시점 모두 예상보다 늦어질 수 있습니다.

이 세 가지 리스크는 서로 이어져 있습니다. 대형 마스크로의 전환이 2033년까지 늦춰지는 동안에는 좁은 노광 면적을 스티칭으로 메워야 하고, 그 스티칭 과정에서도 확률적 결함은 똑같이 변수로 작용합니다. 여기에 중국 대상 수출이 정치적 일정에 따라 줄어들 경우, ASML 입장에서는 설치기반관리 매출로 벌어들이는 안정적인 수입원의 비중이 지역별로 다시 조정될 수 있습니다. 즉 이번 분기처럼 가이던스를 올리는 흐름이 앞으로도 매 분기 그대로 이어진다고 단정할 수는 없고, 기술 로드맵과 지정학 변수가 동시에 맞아떨어져야 지금의 성장세가 이어집니다. 투자자 입장에서는 이번 분기 실적 하나만 보고 판단하기보다, 위 세 가지 변수가 각각 어느 시점에 어떻게 풀리는지를 함께 지켜볼 필요가 있습니다.

결론

ASML은 오늘 두 개의 서로 다른 시계를 동시에 쓰고 있는 회사입니다. 매출과 매출총이익률이 오르는 시계는 이미 분기마다 빠르게 돌고 있습니다. 반면 확률적 결함을 넘어서고 대형 마스크로 완전히 옮겨가는 시계는 2033년을 가리키며 천천히 돌고 있습니다. 두 시계 중 어느 쪽을 더 믿고 지금 움직일지는 결국 투자에 나서는 독자님 스스로 정할 몫이고, 그 판단이 가져오는 결과 역시 독자님 자신이 받아들여야 할 몫입니다.